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美光內存路線圖:10nm級工藝多達六種 單條64GB馬上來

2019-07-01 13:45來源:快科技
文章摘要:不同于CPU處理器等邏輯芯片的制造工藝都精確到具體數值,閃存、內存工藝一直都是很模糊的叫法,比如10nm-class(10nm級別),只是介于20nm和10nm之間,然后又分為1xnm、1ynm、1znm等不同版本,越來越先進,越來越接近真正的10nm。 隨著先進半導體工藝難度的

  不同于CPU處理器等邏輯芯片的制造工藝都精確到具體數值,閃存、內存工藝一直都是很模糊的叫法,比如10nm-class(10nm級別),只是介于20nm和10nm之間,然后又分為1xnm、1ynm、1znm等不同版本,越來越先進,越來越接近真正的10nm。

  隨著先進半導體工藝難度的急劇上升,Intel這樣的巨頭都開始吃不消,在工藝上一貫精打細算的閃存內存廠商也走出了一條新路,比如美光。

  相比三星、SK海力士,美光雖然也是DRAM內存巨頭之一,但工藝一直不算很先進,10nm級上更是玩出了花活,擠牙膏手法之新穎讓Intel都會自嘆弗如。

美光內存路線圖:10nm級工藝多達六種 單條64GB馬上來

  美光早已有了成熟的第一代10nm級工藝也就是1xnm,目前正在擴大產能的是第二代1ynm,生產對象有12Gb LPDDR4X、16Gb DDR4顆粒等。

  當前美光正在與客戶驗證第三代1znm,預計很快就會官宣,并在2020財年(今年9月開始)投入量產,據稱會主要用來生產16Gb LPDDR5、DDR5顆粒。

  按照DRAM內存行業以往的慣例,接下來就要超越10nm級工藝了,但想進入個位數時代實在太難,美光計劃在1nm級上多呆幾年,并準備了至少三種新的10nm級工藝:1αnm、1βnm、1γnm——沒錯,都用上希臘字母了。

美光內存路線圖:10nm級工藝多達六種 單條64GB馬上來
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  如此一來,美光將會有多達六種10nm級工藝,有調研機構稱美光其實還有個升級版的1xsnm,但沒有得到官方確認,如果屬實將有七種,切不排除未來增加更多版本。

  1αnm、1βnm、1γnm當然會一個比一個更先進,一個比一個更逼近10nm,不過具體細節美光暫未披露,只是說會在1βnm、1γnm階段會用上沉浸式四重曝光技術,比現在的雙重曝光、三重曝光更復雜。

  同時,美光還在評估EUV極紫外光刻技術,預計屆時只需雙重曝光,可大大降低工藝復雜度,但具體什么時候、在哪代工藝上使用,美光還沒有做出決定。

  美光估計,DRAM內存生產中每一個EUV層需要1.5-2套EUV光刻機,月產能可達10萬片晶圓,CPU等邏輯芯片則需要一個EUV層對應一臺EUV光刻機,月產能也僅有4.5萬片晶圓。

  目前,臺積電、三星已經開始在7nm工藝升級版上部分引入EUV,接下來的5nm上會全面部署,DRAM內存行業顯然不會那么快。

  另外,臺北電腦展上我們已經見到威剛、英睿達(美光消費級品牌)展示單條32GB DDR4 UDIMM消費級內存條,使用的都是美光最新的1ynm 16Gb DDR4顆粒。

  美光透露,還會用這種顆粒制造單條64GB容量的RDIMM服務器內存。

責任編輯:小龍
文章關鍵詞:  半導體  CPU  DRAM內存
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