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ASML研發第二代EUV光刻機:性能提升70% 2025年問世

2019-07-03 15:44來源:快科技
文章摘要:半導體制造過程中最復雜也是最難的步驟就是光刻,成本能占到整個生產過程的1/3,光刻機也因此成為最重要的半導體制造裝備,沒有之一。目前最先進的光刻機是荷蘭ASML公司生產的EUV光刻機,每臺售價超過1億美元,而且供不應求。 2019年,臺積電、三星都會開始

  半導體制造過程中最復雜也是最難的步驟就是光刻,成本能占到整個生產過程的1/3,光刻機也因此成為最重要的半導體制造裝備,沒有之一。目前最先進的光刻機是荷蘭ASML公司生產的EUV光刻機,每臺售價超過1億美元,而且供不應求。

ASML研發第二代EUV光刻機:性能提升70% 2025年問世

  2019年,臺積電、三星都會開始量產7nm EUV工藝,現有的EUV光刻機也差不多成熟了,雖然產量比起傳統的DUV光刻機還有所不如,不過已經能夠穩定量產了,7nm及明年的5nm節點上EUV光刻機都會是重點。

  EUV光刻機未來還能怎么發展?2016年ASML公司宣布斥資20億美元收購德國蔡司公司25%的股份,并投資數億美元合作研發新一代透鏡,而ASML這么大手筆投資光學鏡頭公司就是為了研發新一代EUV光刻機。

  日前韓媒報道稱,ASML公司正積極投資研發下一代EUV光刻機,與現有的光刻機相比,二代EUV光刻機最大的變化就是High NA(高數值孔徑)透鏡,通過提升透鏡規格使得新一代光刻機的微縮分辨率、套準精度兩大光刻機核心指標提升70%,達到業界對幾何式芯片微縮的要求。

  在這個問題上,ASML去年10月份就宣布與IMEC比利時微電子中心合作研發新一代EUV光刻機,目標是將NA從0.33提升到0.5以上,而從光刻機的分辨率公式——光刻機分辨率=k1*λ/NA中可以看出,NA數字越大,光刻機分辨率越高,所以提高NA數值孔徑是下一代EUV光刻機的關鍵,畢竟現在EUV極紫外光已經提升過一次了。

  之前ASML公布的新一代EUV光刻機的量產時間是2024年,不過最新報道稱下一代EUV光刻機是2025年量產,這個時間上臺積電、三星都已經量產3nm工藝了,甚至開始進軍2nm、1nm節點了。

責任編輯:小龍
文章關鍵詞:  半導體  臺積電
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